Ưu điểm nổi bật:

• Có nhiều collimator với kích thước khác nhau: quá trình thay đổi collimator được thực hiện tự động trên phần mềm
• Thiết kế chiếu tia X từ trên xuống: dễ dàng đạt được phép đo nhanh, chính xác, ổn định và hiệu quả đối với các mẫu siêu lớn, không đều, nhỏ và thậm chí cả chất lỏng.

• Ống phóng tia X độ nhạy cao: INSIGHT có thể được trang bị hệ thống quang học mao dẫn cường độ cao, có thể mang lại tốc độ đếm cao hơn, phép đo điểm nhỏ hơn và phép đo lớp phủ mỏng hơn cho thiết bị, giúp tăng gấp đôi hiệu quả phân tích của thiết bị.
• Bộ thu tín hiệu (detector) độ nhạy cao: Đối với các cấu trúc lớp mạ phức tạp, bộ thu tín hiệu kiểu SDD dễ dàng phân tích các phần tử có đặc điểm giống XRF hơn, như độ phân giải tốt hơn, độ nhiễu nền thấp hơn (tỷ lệ S/N cao nhất) và có thể đo lớp mạ mỏng hơn chính xác hơn.
• Tự động lấy nét: Các mẫu sẽ tự động được lấy nét trong vài giây, bất kể độ dày hoặc kích thước của mẫu. Các mẫu có thể được đo từ khoảng cách xa tới 80 mm. Thiết bị này lý tưởng để đo các bộ phận có diện tích lõm vào hoặc để đo nhiều mẫu ở các độ cao khác nhau.

• Bàn mẫu XY tự động (tùy chọn thêm): có thể dễ dàng thực hiện phép đo tự động, đồng thời có thể chuẩn bị và đo mẫu nhanh hơn, từ đó tăng khối lượng phân tích.
• Bắt đầu đo chỉ với 1 thao tác: Thiết bị được trang bị phần mềm phân tích trực quan và thông minh, dễ vận hành. Bất cứ ai cũng có thể kiểm tra mẫu mà không cần đào tạo. Chỉ cần nhấp vào "Bắt đầu kiểm tra" và có thể nhận được kết quả kiểm tra sau hàng chục giây.

Ứng dụng:

• Đo chiều dày lớp mạ các linh kiện trên bo mạch PCB: Au/Ni/Cu/PCB; Sn/Cu/PCB; Au/NiP/Cu/PCB; Ag/Cu/PCB; Sn/Cu/PCB; SnPd/Cu/PCB; Au/Pd/NiP/Cu/PCB.

• Chiều dày lớp mạ trên Connector: Vật liệu cơ bản của các tiếp điểm đầu nối điện nói chung là hợp kim đồng, và các lớp mạ thường được sử dụng là: mạ thiếc, mạ vàng, mạ bạc, mạ niken, mạ palladium,...

• Sản xuất wafer (công nghệ bán dẫn): Trong quá trình sản xuất, wafer cần được mạ điện, nghĩa là một lớp kim loại dẫn điện được mạ điện trên wafer, và lớp kim loại dẫn điện sau đó được xử lý để tạo thành mạch dẫn điện. Là vật liệu cơ bản của chip, wafer có các yêu cầu nghiêm ngặt về lớp mạ điện nên yêu cầu về quy trình cũng rất cao. Trong quá trình mạ wafer, độ đồng đều và độ dày của lớp phủ phải đảm bảo chất lượng của wafer.

• Lead frame: Khung chì là khung kim loại tấm mỏng kết nối các điểm tiếp xúc của chip bên trong khối tích hợp bán dẫn và dây bên ngoài, đồng thời là vật liệu cấu trúc chính của gói bán dẫn. Để đảm bảo hiệu suất lắp đặt/liên kết trong quá trình đóng gói, khung chì cần được xử lý bề mặt đặc biệt. Các nguyên tố mạ khung chì phổ biến bao gồm vàng, bạc, palladium, niken,...

Thông số kỹ thuật: 

• Kiểu đo: Cấu trúc đo từ trên xuống, nền tảng đo XYZ, thuật toán đa lớp MUTI-FP
• Dải nguyên tố phân tích được: Na(11)—Fm(100)
• Số lớp mạ phân tích được: 5 lớp (4 lớp mạ + nền) mỗi lớp có thể phân tích được 10 nguyên tố, phân tích thành phần có thể phân tích tới 25 nguyên tố
• Ống phóng tia X: 50 W (50 kV, 1mA) micro-focused tungsten palladium
• Bộ thu tín hiệu: Đầu dò SDD diện rộng có độ nhạy cao, đầu dò SDD diện rộng 50mm2 (tùy chọn thêm)
• Ống chuẩn trực (collimator - phạm vi chiếu tia X vào mẫu): nhiều kích thước, thay đổi tự động
• Camera: Camera màu CMOS độ phân giải cao, 5 megapixel
• Bàn di chuyển XY thủ công: khoảng di chuyển 100mm x 150 mm
• Bàn XY tự động: tùy chọn thêm
• Phạm vi di chuyển trục Z: 150mm
• Kích thước buồng mẫu: 564mm × 540mm × 150mm (L x W x H)
• Kích thước máy: 664mm × 761mm ×757mm (L x W x H)
• Khối lượng máy: 120kg
• Nguồn điện: AC 220V±5V 50Hz, 150W